钛靶材(Ti)

Ti target

众诚达

金属靶材

钛靶材(Ti)

良好的力学性能
耐腐蚀性
高温稳定性
高电阻率

产品介绍

钛靶材作为物理气相沉积(PVD)技术的核心材料,通过钛靶材高纯度与精密结构控制,钛靶材正深度赋能半导体、显示与医疗等战略产业。钛靶材的技术突破集中体现在材料性能优化、制造工艺革新与应用场景拓展三大维度,是高端PVD镀膜领域的关键核心耗材。
在性能层面,钛靶材通过原子级纯度控制与微观结构调控实现技术领先。半导体级钛靶材产品纯度达5N-6N级别,杂质含量从ppm级降至ppb级,有效避免电迁移失效。钛靶材密度控制达4.506-4.51g/cm³理论值,配合≤50μm晶粒尺寸,满足EUV光刻对薄膜平整度的严苛需求,彰显钛靶材的技术优势。

 

钛靶材的优异特性

  • 良好的力学性能

    钛靶材的核心原料钛具有高的强度和低的密度,因此钛靶材制备的钛薄膜在许多结构性应用中具有优越的力学性能,适配结构性镀膜需求。

  • 耐腐蚀性

    钛靶材的核心原料钛在许多化学环境中具有很好的耐腐蚀性。钛靶材制备的钛薄膜在海水、酸碱介质等环境中可提供有效的防护,提升终端产品使用寿命,凸显钛靶材的耐腐优势。

  • 高温稳定性

    钛靶材的核心原料钛在高温下具有良好的稳定性,因此钛靶材制备的钛薄膜在航空航天、核能等高温领域具有广泛的应用,适配极端高温场景。

  • 装饰性

    钛靶材的核心原料钛可以形成各种颜色的氧化膜,具有良好的装饰性。钛靶材制备的钛薄膜应用于珠宝、眼镜、钟表等产品的表面处理,拓展钛靶材的应用场景。

  • 高电阻率

    钛靶材的纯钛电阻率显著高于常用金属导体(如铜、铝),约 42.0 × 10⁻⁸ Ω·m (420 nΩ·m) (室温下)。具体值受钛靶材纯度影响极大,高纯度(如4N5)钛靶材有助于降低电阻率。杂质(尤其是间隙元素O、N、C)会显著增加钛靶材的电阻率,凸显钛靶材纯度的核心价值。


钛靶材的广泛应用

  1. 半导体制造

    钛靶材是铜互连的“守护神”:钛靶材作为阻挡层 ,阻止铜原子侵蚀硅芯片;钛靶材作为粘附层,确保铜线与底层紧密结合。芯片制程越先进(7nm, 5nm, 3nm…),对钛靶材纯度与薄膜质量要求越苛刻,钛靶材直接关乎芯片良率与性能,是半导体高端制程不可或缺的关键材料。

  2. 显示面板

    钛靶材在TFT阵列中充当电极组分(如Mo-Ti)或关键欧姆接触/粘附层;
    钛靶材为ITO透明电极提供强力附着“地基”,助力显示面板性能提升,适配高端显示领域需求。
  3. 光伏行业

    钛靶材是高效电池背接触层与粘附层的优选,钛靶材可提升光伏电池的稳定性与光电转换效率。
  4. 光学器件制造

    钛靶材可沉积高纯钛膜或二氧化钛(TiO₂)膜,用于镜头增透膜、滤光片、光催化自洁玻璃等,钛靶材的纯度决定光学性能极限

技术特性

  • 纯度

    纯度

    99.5%-99.95%

  • 密度

    密度

    4.506 g/cm³ (20°C)

应用场景

  • 半导体制造

    半导体制造

  • 显示面板

    显示面板

  • 光伏行业

    光伏行业

  • 光学器件制造

    光学器件制造

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