主要靶材：Cu、 Ti、 W、 SS、 AI、 Si、Ni、Mo、 Cr、 Ta、 Ag、 Au、 Pt、 Ir、  Sc、 AISC、NiFe、NiCr、 NiCu、 WTi、AICu、PZT、LNO、NiV

蒸镀材料：Cu、Ni、Ti、W、AI、Mo、Cr、Ta、Ag、Au、Pt、Ir、Y

以上靶材是半导体制造不可或缺的关键材料，在先进封装、第三代半导体、MEMS 器件及各类电子元器件等领域广泛应用。通过溅射沉积，靶材可在晶圆或基板表面形成导电层、阻挡层、绝缘层及功能性膜层，显著提升器件性能、可靠性和良率，满足先进工艺对薄膜厚度、均匀性和稳定性的严格要求。

1. 先进封装

在倒装芯片、扇出型封装、3D 堆叠等先进封装工艺中，靶材用于沉积金属互连层、扩散阻挡层、再布线层等关键膜层，提高封装密度、信号传输速度和热管理能力，同时增强膜层附着力与长期可靠性。

2. 第三代半导体

在 SiC、GaN 等第三代半导体功率器件制造中，靶材被用于制备电极、阻挡层、保护膜及功能膜层，可在高温、高压、高频环境下保持优异的导电性与结构稳定性，满足功率器件对材料耐久性和稳定性的严苛要求。

3. MEMS 器件

在 MEMS 微机电系统（如压力传感器、加速度计、陀螺仪等）制造中，靶材可沉积敏感膜、功能膜和保护膜，确保器件在微小尺寸下依然具备高灵敏度、高可靠性和稳定性能。

4. 电子元器件

在各类电子元器件（包括电容、电阻、传感器、开关器件等）生产中，靶材用于形成导电层、介电层和封装保护层，有效提升器件导电性能、绝缘能力及耐环境性能，延长使用寿命并保持性能稳定。